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参数目录38849
> SI1065X-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
型号:
SI1065X-T1-GE3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SI1065X-T1-GE3 PDF
产品目录绘图
X-T1-E3 Series SOT-563
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
-
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
130 毫欧 @ 1.18A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
950mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
10.8nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
480pF @ 6V
功率 - 最大
236mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商设备封装
SC-89-6
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1665 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
SI1065X-T1-GE3CT
查看SI1065X-T1-GE3代理商
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